ドライエッチングシステムオペレーショントレーニングのお知らせ

2019-7-18

この度、筑波大学数理物質系パワエレ共用システムにおきまして、（ケミカル）ドライエッチングシステムのオペレーショントレーニングを実施することとなりましたので、以下にお知らせ申し上げます。

【装置特徴】
・ラジカルによる低ダメージの等方性ドライエッチング装置です。マイクロ波プラズマで生成されたラジカルにより、SiやSiO2など様々な材料のエッチングが可能です。
・処理（エッチング）部とプラズマ発生部が完全に分離したリモートプラズマ方式であるため、プラズマダメージが入りません。
・ Siの表面や溝の平滑化・ドライ洗浄、SiO2上のSiN膜の高選択比エッチング、DRIE後のスキャロップ除去などが可能です。

【仕様】
・プラズマ電源：マイクロ波 2.45GHz 1kW、
・エッチングガス：CF4, O2, N2, Ar(準備中)
・試料サイズ：数mm～6インチウェハー（最大25枚）

【講習内容】
簡易マニュアルに沿った操作手順と取扱いの注意点を簡単に説明する短時間の講習となります。
今後ご利用予定の方、装置の操作に不安をお持ちの方は是非ともご参加ください。
（当日の流れ）
・ドライエッチングシステムの起動操作
・サンプルセット及びエッチング操作
・終了手順

【開催日】
2019年8月6日（火）13:30～

【会場】
総合研究棟B 0022室

【応募人数】
10名程度

【申込先・問い合せ】
sharing-power-e(at)ml.cc.tsukuba.ac.jp ※(at)を@に変換して送信してください
※件名に、「CDE-7-4操作講習会応募」と記載いただき、所属機関、部署（研究室名）、⽒名、職名（学年）、電話番号、E-mail をご連絡ください。
※ 筑波大学オープンファシリティーの機器利用申請がお済みではない方は別途申請をお願いいたします。

【応募締切】
2018年8⽉1⽇(木)

– Information in English –

To Open Facility System Users

Thank you very much for using the open facility system daily.

Now, we will carry out operation training of (Chemical) Dry etching equipment (CDE-7-4). It will be announced in the following.

Equipment: Dry Etching Equipment

【Lecture content】
(Sorry, it should be noted, all presentation will be Japanese.)

This time, it will be a short course that briefly explains the operation procedure and the handling points. Please come by all means if you plan to use this equipment.
・ Start-up procedure of the CDE equipment
・ How to operate the etching process
・ Ending operation of the CDE
※ Please note that the content may change depending on the situation.
Thank you for your cooperation and understanding

【Dates】
August 6, 2019（Tue.）13:30-

【Training place】
LABORATORY FOR ADVANCED RESEARCH B 0022 ROOM

【Capacity】
About 10 persons

【Inquiry and Application】
sharing-power-e(at)ml.cc.tsukuba.ac.jp ※(Please change (at) to @.)
The subject as “Application for On-site training of CDE-7-4”, please contact us your name, E-mail address, Faculty, laboratory name by E-mail.

【Application deadline】
August 1, 2019 (Thu.)