平成28年度省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発

平成28年度省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発

公募期間 2016年1月29日(金)~2016年2月19日(金) 17:00
公募概要 本事業では、「GaN等の次世代半導体に関して、材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションも活用した基礎基盤研究を実施することにより、実用化に向けた研究開発を加速すること」を目的としています。次世代半導体の実用化の加速による省エネルギー社会の早期実現に加えて、世界に先駆けた次世代半導体の市場投入による産業競争力の強化を目指すものです。
【公募する領域】
(1)中核拠点実施機関
(2)FS実施機関
(3)評価基盤領域実施機関
(4)パワーデバイス・システム領域実施機関
募集対象 詳細は公募要領P.8「1.応募対象者」参照
研究費 ・中核拠点実施機関の規模は 6億円程度
・FS 実施機関の規模は 1機関 あたり 0.1 億円程度
・評価基盤領域実施機関 の規模は 1~2億円程度 ・パワーデバイス・シテム領域 実施機関 の規模は 2~3億
研究期間 中核拠点実施機関、評価基盤領域実施機関及びパワーデバイス・システム領域実施機関:原則
5年間(平成28年度~平成32年度)、FS実施機関:1年間
採択予定件数 中核拠点実施機関 :1件、FS 実施機関 :数 件、評価基盤領域実施機関 :1件、パワーデバイス・シテム領域 実施機関 :1件
応募方法 府省共通研究開発管理システム(e-Rad)から申請する。(所属研究機関の承認が必要)
加えて提出書類一式を郵送又はE-mailにて提出する。
公募説明会 日時:平成28年2月4日(木)13時~14時
場所:文部科学省 18階 研究開発局1会議室
参加申し込みは平成28年2月3日(水)12時までに下記E-mailにてお申込み下さい。
E-mail : kankyou@mext.go.jp(「@」は半角にしてください。)
問合せ先 文部科学省 研究開発局 環境エネルギー課
「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」公募担当:小野、原田、柳生
〒100-8959 東京都千代田区霞が関3-2-2
TEL:03-5253-4111 (内線4534)
FAX:03-6734-4162

 

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